特許

J-GLOBAL ID：200903068068605848

半導体装置

発明者： 田中 英行
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (6件)： 角田 嘉宏 ,  古川 安航 ,  西谷 俊男 ,  幅 慶司 ,  内山 泉 ,  是枝 洋介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-020629
公開番号（公開出願番号）：特開2006-210639
出願日： 2005年01月28日
公開日（公表日）： 2006年08月10日
要約：

【課題】 粒径100nm以下の微粒子を挟んだ電極間の絶縁信頼性を高めること。 【解決手段】 微粒子201と、上部電極103と、下部電極104と、誘電体102、微粒子201と同程度の直径を有する柱状導電体202とを備え、孔の開いた誘電体102内部に柱状導電体202を埋め込む際に発生する凹部に微粒子201を捕捉させ、微粒子201と柱状導電体202を直列に接続することにより、上下電極間の誘電体102の厚さが微粒子のサイズより十分大きくなるので上下電極間の短絡が防止され、歩留まりの向上および装置の信頼性が高まる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

直径100nm以下の微粒子と、 基板面にほぼ垂直に誘電体中に埋め込まれ直径が微粒子の直径と同程度且つ高さが微粒子の直径の2倍以上である柱状導電体と、 微粒子と柱状導電体を直列にして挟み込んだ基板面に平行な2つの電極と を備えた半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/06 ,  B82B 1/00 ,  H01L 27/10 ,  H01L 29/41

FI (4件)：

H01L29/06 601D ,  B82B1/00 ,  H01L27/10 451 ,  H01L29/44 Z

Fターム (14件)：

4M104AA03 ,  4M104BB04 ,  4M104BB06 ,  4M104BB09 ,  4M104BB36 ,  4M104FF01 ,  4M104GG20 ,  5F083FR01 ,  5F083FZ04 ,  5F083FZ10 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA43 ,  5F083JA58

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 回路基板とその金属配線形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-332309   出願人：科学技術振興事業団