特許

J-GLOBAL ID：200903068069647064

金属層をパターンぎめする方法

発明者： ロバート エィチ.ヘイブマン
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-130747
公開番号（公開出願番号）：特開平8-064598
出願日： 1995年05月29日
公開日（公表日）： 1996年03月08日
要約：

【要約】【目的】 低誘電率材料の構造的な強度を改善した半導体装置。【構成】 金属層14が第1の部分15及び第2の部分17を持ち、この金属層が半導体ウェーハ10の基板12の上にデポジットされる。間隔の広いリード線16が金属層14の第1の部分15に形成され、少なくとも間隔の広いリード線の上に第1の構造誘電体層26がデポジットされる。間隔の狭いリード線18が金属層14の第2の部分17に形成され、低誘電率材料34が間隔の狭いリード線18の間にデポジットされる。第2の構造誘電体層36が少なくとも低誘電率材料34及び間隔の狭いリード線18の上にデポジットされる。この発明の利点は、構造的に弱い低誘電率材料を必要とする所だけに、即ち、間隔の狭いリード線を持つ区域に配置することにより、構造的な強度を改善したことである。

請求項（抜粋）：

基板を持つ半導体ウェーハの上の金属層をパターンぎめする方法に於て、前記基板の上に第1の部分及び第2の部分を持つ金属層をデポジットし、その後、前記金属層の前記第1の部分に間隔の広いリード線を形成し、該間隔の広いリード線はリード線の間隔が最低リード線間隔の1.5倍を越えており、少なくとも前記間隔の広いリード線の上に第1の構造誘電体層をデポジットすると共に、前記金属層の前記第2の部分に間隔の狭いリード線の少なくとも隣接部分を形成し、該間隔の狭いリード線のリード線間隔は前記最低リード線間隔の1.5倍以下であり、その後、少なくとも前記間隔の狭いリード線の間に低誘電率材料をデポジットし、該低誘電率材料は少なくとも2つの間隔の狭い金属リード線の間の領域で3未満の誘電率を持ち、その後、少なくとも前記低誘電率材料及び前記間隔の狭いリード線の上に第2の構造誘電体層をデポジットする工程を含む方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 ,  H01G 4/06

FI (2件)：

H01L 21/88 B ,  H01G 4/06

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-211730
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-324155   出願人：株式会社東芝
• 特開昭63-007650
  
• 特開昭63-208248