特許
J-GLOBAL ID：200903068083556136
光半導体電極の作製方法及び光電変換素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小山 有
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-190846
公開番号（公開出願番号）：特開2004-039286
出願日： 2002年06月28日
公開日（公表日）： 2004年02月05日
要約：
【課題】光電変換素子の電極として、微細な連続気孔を持つ構造物あるいは膜を基板上に形成する方法を提供する。【解決手段】平均微粒子径が0.1μm未満の脆性材料超微粒子を焼成し、これら脆性材料超微粒子同士を一部結合せしめて多孔質微粒子を形成する。次いでこの多孔質微粒子をガス中に分散させてエアロゾルとし、このエアロゾルを基材に向けて吹き付けて多孔質微粒子を衝突させて、基材上に、多孔質微粒子同士が結合して堆積した多孔質構造物(膜)を形成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
脆性材料超微粒子同士が一部結合しかつ連続気孔が存在する平均粒径が0.1〜50μmの多孔質微粒子を、ガス中に分散させてエアロゾルとし、このエアロゾルを導電性基材に向けて吹き付けて前記多孔質微粒子を衝突させて、前記基材上に、前記多孔質微粒子同士が結合して堆積した多孔質の構造物を形成させることを特徴とする基材と多孔質構造物からなる光半導体電極の作製方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01M14/00 P
, H01L31/04 Z
5F051AA14
, 5F051CB13
, 5F051CB29
, 5F051FA03
, 5F051FA06
, 5H032AA06
, 5H032AS06
, 5H032AS16
, 5H032BB02
, 5H032CC16
, 5H032EE02
, 5H032EE12
, 5H032EE16
, 5H032HH04
, 5H032HH06
