特許
J-GLOBAL ID：200903068102715534
トレンチ素子分離方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-130024
公開番号（公開出願番号）：特開2002-373935
出願日： 2002年05月01日
公開日（公表日）： 2002年12月26日
要約：
【要約】【課題】トレンチ角部に窪みまたは溝が生じないようにするトレンチ素子分離方法を提供する。【解決手段】 半導体基板上に素子分離用トレンチエッチングマスクを形成する。トレンチエッチングマスクを利用して半導体基板をエッチングして所定深さのトレンチを形成する。トレンチの側壁及び底部に酸化膜を形成する。トレンチエッチングマスク及び酸化膜の全面にライナー層を蒸着する。トレンチエッチングマスクと酸化膜境界部分のライナー層を除去する。ライナー層上にトレンチ素子分離膜でトレンチを埋立てる。そして半導体基板が露出されるようにトレンチエッチングマスク上のトレンチ素子分離膜、ライナー層及びトレンチエッチングマスクを除去する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に素子分離用トレンチエッチングマスクを形成する段階と、上記トレンチエッチングマスクを利用して上記半導体基板をエッチングして所定深さのトレンチを形成する段階と、上記トレンチの側壁及び底部に酸化膜を形成する段階と、上記トレンチエッチングマスク及び上記酸化膜の全面にライナー層を蒸着する段階と、上記トレンチエッチングマスクと上記酸化膜境界部分のライナー層を除去する段階と、上記ライナー層上にトレンチ素子分離膜で上記トレンチを埋立てる段階と、上記半導体基板が露出されるように上記トレンチエッチングマスク上の上記トレンチ素子分離膜、ライナー層及びトレンチエッチングマスクを除去する段階とを含むことを特徴とするトレンチ素子分離方法。
Fターム (11件)：
5F032AA35
, 5F032AA44
, 5F032AA45
, 5F032AA46
, 5F032CA17
, 5F032DA03
, 5F032DA04
, 5F032DA23
, 5F032DA24
, 5F032DA30
, 5F032DA74
