特許
J-GLOBAL ID：200903068103812266
基板温度モニタ
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
飯阪 泰雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-197051
公開番号（公開出願番号）：特開平10-019690
出願日： 1996年07月08日
公開日（公表日）： 1998年01月23日
要約：
【要約】【課題】 真空成膜装置内における基板の温度を非接触で連続的に精度高く測定し得て、更には基板温度のプログラム制御にも使用し得る基板温度モニタを提供すること。【解決手段】 覗き窓を介して、真空成膜装置14内の基板11にレーザ1からレーザ光を照射し、散乱反射されて生ずるスペックル・パターンをイメージセンサ2、3で受像する。基板11の加熱前後におけるスペックル・パターンの移動量がイメージセンサ2、3に接続される相関計8、9で求められ、コンピュータ51で基板温度が演算される。
請求項（抜粋）：
真空成膜装置内の基板へ照射するレーザ光の発振源と、レーザ光の照射点から光軸と反射光軸とを含む面の両側へ等角度で等距離の対称位置に配置され前記レーザ光が前記基板で散乱反射されて生ずるスペックル・パターンを受像するための一対のイメージセンサとが前記真空成膜装置に取り付けられ、前記一対のイメージセンサのそれぞれに前記基板の加熱前後における前記スペックル・パターンの移動量を求める相関計が接続され、前記スペックル・パターンの移動量の差、前記一対のイメージセンサの配置されている前記角度と前記距離、および既知である前記基板の熱膨張係数から前記基板の温度を演算するコンピュータが前記相関計に接続されていることを特徴とする基板温度モニタ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G01K 11/12 C
, C23C 14/54 D
審査官引用 (6件)
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特開平4-132944
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特表平7-505744
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半導体ウェハの温度測定方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平4-164059
出願人：新日本製鐵株式会社
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