特許
J-GLOBAL ID:200903068124149273

半導体装置および製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 龍華 明裕
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-093459
公開番号(公開出願番号):特開2009-246258
出願日: 2008年03月31日
公開日(公表日): 2009年10月22日
要約:
【課題】放熱特性に優れた積層型の半導体装置。【解決手段】電気的なを入出力を行うための端子を表面に有する複数の基板と、基板を相互に接着する樹脂母材および樹脂母材よりも高い熱伝導性を有する熱伝導材料を含む層間シートと、を厚さ方向に積層してなる。層間シートは、樹脂母材よりも熱伝導性が高い熱伝導材料を、基板に接触させることなく埋設された熱伝導領域を含んでもよい。また、高熱伝導材料は、金属またはカーボンナノチューブを含んでもよい。【選択図】図2
請求項(抜粋):
電気的な入出力を行うための端子を表面に有する複数の基板と、 前記基板を相互に接着する樹脂母材および前記樹脂母材よりも高い熱伝導性を有する熱伝導材料を含む層間シートと、 を厚さ方向に積層してなる半導体装置。
IPC (5件):
H01L 23/34 ,  H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 23/373
FI (3件):
H01L23/34 A ,  H01L25/08 Z ,  H01L23/36 M
Fターム (10件):
5F136BB02 ,  5F136BB18 ,  5F136BC03 ,  5F136BC07 ,  5F136DA41 ,  5F136EA12 ,  5F136EA62 ,  5F136FA01 ,  5F136FA25 ,  5F136FA82
引用特許:
出願人引用 (1件)

前のページに戻る