特許
J-GLOBAL ID:200903068145685965

ウエハ保持装置の給電構造

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-019193
公開番号(公開出願番号):特開平9-213455
出願日: 1996年02月05日
公開日(公表日): 1997年08月15日
要約:
【要約】【課題】静電電極、ヒータ電極、高周波電極への通電により発生する熱応力によりセラミック基体を破損させないようにする。また、静電電極および/またはヒータ電極への給電においてビアホールの導通不良を防止する。【解決手段】複数枚のセラミック層からなるセラミック基体の内部に静電電極および/または高周波電極を埋設するとともに、上記セラミック基体に外部端子を取り付けるための固定孔を穿設し、上記固定孔と前記電極との間にある数枚のセラミック層に導電材を充填したビアホールを形成して導通をとるようにしてなるウエハ保持装置の給電構造において、上記固定孔と前記電極との間にある各セラミック層に上記固定孔の断面積より広い導電層をそれぞれ設けるとともに、各セラミック層のビアホール位置を互いにずらして配置する。
請求項(抜粋):
複数枚のセラミック層からなるセラミック基体の内部に電極を埋設してなり、上記セラミック基体の裏面に外部端子を取り付けるための固定孔を穿設するとともに、上記固定孔と前記電極との間にある数枚のセラミック層に導電材を充填したビアホールを形成して導通をとるようにしてなるウエハ保持装置の給電構造において、上記固定孔と前記電極との間にある各セラミック層に上記固定孔の断面積より広い導電層をそれぞれ敷設して各セラミック層のビアホールと導通させるとともに、上下隣合うセラミック層のビアホール位置を互いにずらして配置したことを特徴とするウエハ保持装置の給電構造。
IPC (3件):
H05B 3/08 ,  H01L 21/68 ,  H02N 13/00
FI (3件):
H05B 3/08 ,  H01L 21/68 R ,  H02N 13/00 D
引用特許:
審査官引用 (3件)

前のページに戻る