特許
J-GLOBAL ID：200903071174020043

真空処理装置およびそれに用いる載置台

発明者：
荒見 淳一

荒見 淳一 について

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石川 賢治

石川 賢治 について

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出口 洋一

出口 洋一 について

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川田 敦雄

川田 敦雄 について

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柳沢 勲

柳沢 勲 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について

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信越化学工業株式会社

信越化学工業株式会社 について


代理人 (1件)： 井上 一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-166165
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263530
出願日： 1994年06月24日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：
【要約】【目的】 静電チャックと加熱装置を一体化するとともに、この静電チャックに吸着保持された被処理体を、均一にかつ効率よく加熱する。【構成】 基材22を第1の絶縁層23で被覆し、この第1の絶縁層23の上面には静電チャックの電極を構成する導電体24、25を設けるとともに、下面には、発熱体26aを渦巻状に配したヒータ26を一体に設ける。さらにこれらの表面に第2の絶縁層27を設ける。基材22の厚みHを、発熱体26aの半径方向の間隔dよりも大きくする。【効果】 ヒータの熱は基材を介して伝導で伝わるので熱伝達効率がよく、しかも所定の厚みを有する基材が介在しているので、ヒータの発熱体のパターンが被処理体の裏面に発現されず、被処理体は均一に加熱される。
請求項（抜粋）：
真空下で被処理体の処理を行う処理室と、前記処理室内に設けられ、前記被処理体を載置するための載置面を有する載置部材と、前記載置面に設けられた、前記被処理体を吸着させるための静電吸着手段と、前記被処理体を加熱するための加熱手段と、前記処理室に被処理体を処理するための処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、を備え、前記載置部材は、基材と、該基材の表面に形成された第1の絶縁層と、第1の絶縁層の上に設けられた第2の絶縁層とを有し、前記載置部材の前記載置面側における第1の絶縁層と第2の絶縁層との間に導電層を有し、前記第1の絶縁層と、前記第2の絶縁層と、前記導電層とによって前記静電吸着手段を構成し、前記加熱手段は、前記載置部材の載置面と反対側の面側における第1の絶縁層と第2の絶縁層との間に設けられた加熱体を有する、ことを特徴とする真空処理装置。
IPC (2件)：
H01L 21/68 ,  H01L 21/31
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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