特許
J-GLOBAL ID：200903068154593372
抵抗変化メモリ用のセレン化銀/カルコゲナイドガラス
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
杉村 興作
, 高見 和明
, 徳永 博
, 藤谷 史朗
, 来間 清志
, 冨田 和幸
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-570408
公開番号（公開出願番号）：特表2005-518665
出願日： 2003年02月14日
公開日（公表日）： 2005年06月23日
要約：
【課題】メモリの保持力及びスイッチング特性を改善した抵抗変化メモリ素子を提供する。【解決手段】本発明は、データ保持力及びスイッチング特性を改善した抵抗変化メモリ素子を提供する方法及び装置に関するものである。本発明の好適例によれば、少なくとも1つのセレン化銀層(18)をガラス層(17、20)間に配置した抵抗変化メモリ素子が提供され、これらのガラス層の少なくとも1つがカルコゲナイドガラスであり、GexSe100-xの組成を有することが好ましい。
請求項（抜粋）：
少なくとも1つの金属含有層と、
少なくとも1つのカルコゲナイドガラス層と、
少なくとも1つの他のガラス層とを具えて、
前記金属含有層を、前記少なくとも1つのカルコゲナイドガラス層と前記少なくとも1つの他のガラス層との間に設けたことを特徴とする抵抗変化メモリ素子。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L27/10 448
, H01L27/10 461
, H01L45/00 A
5F083FZ10
, 5F083GA21
, 5F083HA02
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083ZA13
