特許

J-GLOBAL ID：200903068170724622

半導体装置

発明者： 米田 裕 ,  山根 康邦 ,  石井 裕
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 原 謙三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-268929
公開番号（公開出願番号）：特開平7-120788
出願日： 1993年10月27日
公開日（公表日）： 1995年05月12日
要約：

【要約】【構成】 半導体装置は、基板1上に、半導体能動素子と、該半導体能動素子に電源電力を供給するための電源線3とが設けられているものであって、少なくともその一部分が上記電源線3と対向するように配された基準電位の容量形成用電極4と、対向配置されている電源線3と容量形成用電極4との間に配された層間絶縁膜10とを備えている構成である。【効果】 電源線3と容量形成用電極4とを電極とするコンデンサが形成され、分布定数回路として扱われる電源線3の有する抵抗と上記コンデンサとによって等価的にCRフィルタが形成されるので、電源線3に発生する高周波的なノイズが低減され、信号レベルの変動、誤動作、信号遅延等の半導体装置の不正規動作の発生を、従来よりも大幅に低減することが可能となる。

請求項（抜粋）：

基板上に、半導体能動素子と、該半導体能動素子に電源電力を供給するための電源線とが設けられている半導体装置において、少なくともその一部分が上記電源線と対向するように配された基準電位の容量形成用電極と、対向配置されている電源線と容量形成用電極との間に配された容量形成用誘電体とを備えていることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1343 ,  G09F 9/00 ,  G09G 3/00 ,  H01L 21/82 ,  H01L 29/786

FI (2件)：

H01L 21/82 L ,  H01L 29/78 311 A

引用特許：

審査官引用 (2件)

• アクティブマトリクス基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-345388   出願人：シャープ株式会社
• 特開平2-179613