特許
J-GLOBAL ID：200903068210727816
イオンプレーティング装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井島 藤治 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-062527
公開番号（公開出願番号）：特開平9-256148
出願日： 1996年03月19日
公開日（公表日）： 1997年09月30日
要約：
【要約】【目的】 再現性良くプラズマを発生でき、高品質な成膜を安定的に行うことができるイオンプレーティング装置を実現する。【構成】 蒸発材料のイオン化を行う際、スイッチ30とスイッチ32は切り換えられ、チャージアップ防止電極23とシャッター31はフローティング電位とされる。この結果、生成されたプラズマはフローティング電位の電極26、電極23、シャッター31によって囲まれることになる。この各フローティング電位の電極等は、プラズマのセルフバイアス電位により、アースに対して負電位となる。この結果、プラズマ電子銃9から射出する電子は、真空チャンバー1内で閉じ込められることになり、電子密度が増加することになる。従って、チャンバー1内では均一性の良い高密度プラズマが生成される。
請求項（抜粋）：
チャンバーと、チャンバー内に設けられた被蒸着材料の蒸発源と、チャンバーの側部に設けられ、蒸発源から蒸発した材料をイオン化するための電子ビームを発生するプラズマ電子銃と、蒸発源の上部に設けられた開閉可能のシャッタ板と、チャンバー内に設けられチャンバー内で生成されるプラズマを囲むように配置されたフローティング電極と、シャッタ板の電位をアース電位とフローティング電位との間で切り換える手段とを備えたイオンプレーティング装置。
IPC (3件)：
C23C 14/32
, H01J 37/32
, H05H 1/24
C23C 14/32 B
, H01J 37/32
, H05H 1/24
