高集積半導体配線構造およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：服部雅紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-161471
公開番号（公開出願番号）：特開平7-058219
出願日： 1994年07月13日
公開日（公表日）： 1995年03月03日
要約：

【要約】【目的】自己整列されるコンタクトホールを利用した高集積半導体配線構造およびその製造方法を提供する。【構成】高集積半導体配線構造は、多数の配線400群と、その間に形成されたコンタクト自己整列されたストレージノードコンタクトホール470を有する。多数の配線400については、ストレージノードコンタクトホール470が形成される部位は第1配線広さで形成され、残り部位は前記第1配線広さより広い第2配線広さで形成される。【効果】コンタクトホールを自己整列方式で形成するので、ミスアラインによる短絡を防止することができる。

請求項（抜粋）：

多数の配線と配線間に形成されたコンタクトホールを有する高集積半導体配線構造において、前記配線は、コンタクトホールが形成される部位は第1配線広さで形成され残り部位は前記第1配線広さより広い第2配線広さで形成されることを特徴とする高集積半導体配線構造。

IPC (5件)：

H01L 21/8242 , H01L 27/108 , H01L 21/3205 , H01L 21/8234 , H01L 27/088

FI (3件)：

H01L 27/10 325 C , H01L 21/88 Z , H01L 27/08 102 D

引用特許：

審査官引用 (13件)

特開平4-229651
特開平4-229651
特開平4-274362

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