特許
J-GLOBAL ID：200903068255185755
ナノスケール電子デバイスおよび製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
竹本 松司
, 杉山 秀雄
, 湯田 浩一
, 魚住 高博
, 手島 直彦
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-521143
公開番号（公開出願番号）：特表2005-500678
出願日： 2002年08月20日
公開日（公表日）： 2005年01月06日
要約：
本発明は、基板表面上の2つの接触子の間に導電性ナノ電線を形成する方法であって、接触子間の領域内で基板に複数のナノ粒子を蒸着させ、接触子間の通電を監視し、通電が開始すると蒸着を止め、かつ/またはナノ粒子にナノ電線を形成させる構造的特徴を達成するために基板を改質するか、または既存の当該構造的特徴を利用することによって、実質的に2つの接触子の間を通る単一のナノ電線を形成する方法に関する。得られる導電性ナノ電線、ならびに当該ナノ電線を組み込んだデバイスも請求の対象とする。
請求項（抜粋）：
基板上のいくつかの接触子の間に少なくとも単一の導電性ナノ粒子鎖を形成する方法であって、
a.基板上に接触子を形成するステップと、
b.複数のナノ粒子を作製するステップと、
c.基板上の少なくとも接触子の間の領域に複数のナノ粒子を蒸着するステップと、
d.接触子の間に導電性ナノ粒子鎖を形成するステップとを含む方法。
IPC (5件)：
H01L29/06
, B82B3/00
, H01B5/00
, H01B5/14
, H01B13/00
H01L29/06 601N
, B82B3/00
, H01B5/00
, H01B5/14
, H01B13/00 501Z
