特許
J-GLOBAL ID：200903068265397840
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-152127
公開番号（公開出願番号）：特開2008-306005
出願日： 2007年06月07日
公開日（公表日）： 2008年12月18日
要約：
【課題】微細化に伴うフォーミング電圧の変動を抑制することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】下部電極として機能するコンタクトプラグ16及び上部電極19の間に抵抗変化部18が位置している。抵抗変化部18の材料はTi酸化物である。また、抵抗変化部18には、平面視において、その中心部に線状の孔跡18aが存在している。孔跡18aは抵抗変化部18の表面から深さ方向に延びている。従って、比較的大きな電圧が印加されると、この孔跡18a及びその延長線上に擬似絶縁破壊が生じ、ここにフィラメントが生成される。即ち、フォーミングが行われる。孔跡18aは、例えばCVD法等の堆積法による抵抗変化部18の形成と同時に形成される。そして、孔跡18aの特徴には、あまりばらつきが生じないため、フォーミング電圧のばらつきも小さなものとなる。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
第1及び第2の電極と、
金属酸化物を含有し、その抵抗が前記第1及び第2の電極の間に印加された電圧に伴って変化する抵抗変化部と、
を有し、
前記抵抗変化部中に、前記第1の電極から前記第2の電極に向けて延びる線に沿って、前記金属酸化物を含有する構造同士が物理的に接する部分が存在していることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 27/10
, H01L 45/00
, H01L 49/00
H01L27/10 451
, H01L45/00 Z
, H01L49/00 Z
5F083FZ10
, 5F083JA35
, 5F083JA36
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083KA01
, 5F083KA05
, 5F083KA11
, 5F083LA12
, 5F083LA16
, 5F083LA20
, 5F083MA06
, 5F083MA19
, 5F083NA01
, 5F083PR21
, 5F083PR22
