特許
J-GLOBAL ID：200903054249977045

抵抗変化型不揮発性メモリ、抵抗変化型不揮発性メモリの製造方法、記録方法、再生方法、消去方法、抵抗変化材料微細構造体および抵抗変化材料微細構造体の製造方法

発明者：
石田 祐一

石田 祐一 について

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磯辺 千春

磯辺 千春 について

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広中 克行

広中 克行 について

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鈴木 真之

鈴木 真之 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 森 幸一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-042849
公開番号（公開出願番号）：特開2005-236003
出願日： 2004年02月19日
公開日（公表日）： 2005年09月02日
要約：
【課題】 電子線リソグラフィーや電子線の直接描画を用いずに低コストで高密度の不揮発性メモリを実現する。 【解決手段】 Si基板等の基板11上に形成したPt等の電極15上にナノホール13を有するナノテンプレート層12を形成した後、ナノホール13の内部にCrドープSrTiO3 等の抵抗変化材料を充填してナノドット14を形成する。ナノテンプレート層12は、Al薄膜を陽極酸化したり、ドット状凝集部と他の凝集部とからなるブロックコポリマーを形成した後、そのドット状凝集部を除去することにより形成する。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
電極上に抵抗変化材料からなる微細なドットを有する ことを特徴とする抵抗変化型不揮発性メモリ。
IPC (3件)：
H01L27/10 ,  B82B1/00 ,  G11C13/00
FI (3件)：
H01L27/10 451 ,  B82B1/00 ,  G11C13/00 A
Fターム (18件)：
5F083FZ02 ,  5F083FZ10 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA42 ,  5F083JA43 ,  5F083JA45 ,  5F083LA04 ,  5F083LA05 ,  5F083PR03 ,  5F083PR05 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (3件)

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