特許
J-GLOBAL ID：200903068295091435
高周波基板
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-296812
公開番号（公開出願番号）：特開平5-160613
出願日： 1991年11月13日
公開日（公表日）： 1993年06月25日
要約：
【要約】【目的】 結合度の高いカプラを用いる装置の薄型化および小型化を図る。【構成】 親基板とは個別に4層の基板より成るカプラ部のみのカプラ基板を形成し、このカプラ基板の第1層および第4層に信号用のランドおよびグランド用のランドを配し、このカプラ基板を他の回路素子とともに搭載する親基板上に半田付けによって搭載する。【効果】 このような構成により、親基板の厚さが薄くなるため、装置の実装の高さに余裕ができ、かつ装置の小型化及び薄型化が出来る。
請求項（抜粋）：
複数の基板を積層し、最外部の基板に少なくとも信号入力ランド及び信号出力ランドを形成したカプラ基板と、前記カプラ基板の信号入力ランドの位置に対応する信号出力ランド及び前記カプラ基板の信号出力ランドの位置に対応する信号入力ランドを表面に形成した親基板を備え、前記カプラ基板の信号入力ランドおよび信号出力ランドを前記親基板の信号出力ランドおよび信号入力ランドに半田付けした事を特徴とする高周波基板。
IPC (2件)：
引用特許：
審査官引用 (1件)
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方向性結合器
公報種別：公開公報
出願番号：特願平3-157017
出願人：株式会社タイセー
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