半導体装置の製造方法、半導体装置、及び、絶縁膜成長装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：眞鍋潔 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-303742
公開番号（公開出願番号）：特開2003-109954
出願日： 2001年09月28日
公開日（公表日）： 2003年04月11日
要約：

【要約】【課題】半導体装置の製造方法、半導体装置、及び、絶縁膜成長装置に関し、導入するガスを切り換えることなく絶縁膜中の窒素濃度分布を任意に制御するとともに、トラップ密度を低減して半導体装置の信頼性を向上する。【解決手段】半導体基板1を紫外光6,7を照射しながら一酸化二窒素3を含む雰囲気で処理する際に、主として酸化種ラジカルが発生する波長範囲の紫外光7と、酸化種ラジカルと窒化種ラジカルが同時に発生する波長範囲の紫外光6の強度と照射時間を、それぞれ任意に制御することによって所望の窒素濃度プロファイルを有する絶縁膜2を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に酸素及び窒素を含有する絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法において、前記半導体基板を紫外光を照射しながら一酸化二窒素を含む雰囲気で処理する際に、主として酸化種ラジカルが発生する波長範囲の紫外光と、酸化種ラジカルと窒化種ラジカルが同時に発生する波長範囲の紫外光の強度と照射時間を、それぞれ任意に制御することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (9件)：

H01L 21/318 , H01L 21/31 , H01L 21/336 , H01L 21/8247 , H01L 27/115 , H01L 29/78 , H01L 29/786 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (6件)：

H01L 21/318 C , H01L 21/31 A , H01L 29/78 301 G , H01L 29/78 617 V , H01L 29/78 371 , H01L 27/10 434

Fターム (61件)：

5F045AA11 , 5F045AA16 , 5F045AB32 , 5F045AB34 , 5F045AD11 , 5F045AD13 , 5F045AE25 , 5F045AE29 , 5F045AF02 , 5F045AF03 , 5F045AF07 , 5F045BB08 , 5F045BB16 , 5F045EB13 , 5F045EE08 , 5F045EK06 , 5F045EK12 , 5F058BA20 , 5F058BC11 , 5F058BF78 , 5F058BJ01 , 5F083GA21 , 5F083PR33 , 5F101BA48 , 5F110AA12 , 5F110AA14 , 5F110AA16 , 5F110BB01 , 5F110BB05 , 5F110EE09 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF21 , 5F110FF22 , 5F110FF26 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG12 , 5F110GG13 , 5F110GG15 , 5F140AA19 , 5F140AA23 , 5F140AA28 , 5F140AA40 , 5F140AC32 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BA05 , 5F140BD01 , 5F140BD04 , 5F140BD05 , 5F140BD09 , 5F140BD15 , 5F140BE03 , 5F140BE06 , 5F140BE07 , 5F140BE08 , 5F140BF01 , 5F140BF04

引用特許：

審査官引用 (1件)

酸窒化膜およびその形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-259061 出願人：日本電気株式会社

前のページに戻る