特許

J-GLOBAL ID：200903085180336460

酸窒化膜およびその形成方法

発明者： 渡部 宏治
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-259061
公開番号（公開出願番号）：特開2001-085427
出願日： 1999年09月13日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
要約：

【要約】【課題】膜厚の制御、窒素量の制御、界面ラフネス、窒素位置の制御に優れる酸窒化膜を形成する。【解決手段】酸窒化膜はシリコン基板表面と酸素の活性種および窒素の活性種との反応で形成される。ここで、シリコン基板表面に酸素の活性種と窒素の活性種とを同時に照射し、シリコン基板表面と上記酸素および窒素の活性種とを反応させる。さらには、上記の方法で形成した酸窒化膜表面に窒素の活性種を照射し、酸窒化膜と窒素の活性種とを反応させる。あるいは、シリコン基板表面に酸素の活性種または窒素の活性種のみを照射した後、酸素の活性種と窒素の活性種とを同時に照射し、シリコン基板表面と酸素および窒素の活性種とを反応させる。

請求項（抜粋）：

シリコン基板表面と酸素の活性種および窒素の活性種との反応で形成されることを特徴とする酸窒化膜。

IPC (2件)：

H01L 21/318 ,  H01L 29/78

FI (2件)：

H01L 21/318 C ,  H01L 29/78 301 G

Fターム (26件)：

5F040DA06 ,  5F040DC01 ,  5F040EC01 ,  5F040EC07 ,  5F040EC13 ,  5F040ED03 ,  5F040EF02 ,  5F040EH02 ,  5F040EJ03 ,  5F040EK05 ,  5F040FA03 ,  5F040FA19 ,  5F040FB02 ,  5F040FB04 ,  5F058BA05 ,  5F058BA20 ,  5F058BC11 ,  5F058BE01 ,  5F058BF09 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BF55 ,  5F058BF73 ,  5F058BF74 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ10

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-207930
  
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-310463   出願人：松下電子工業株式会社
• 半導体装置の製造方法および半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-325590   出願人：ソニー株式会社