II族-酸化物を含む光半導体素子及びその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：清水守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-072003
公開番号（公開出願番号）：特開平10-270749
出願日： 1997年03月25日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：

【要約】【課題】薄膜技術を用いて、バンド端近傍の発光が可能なII族-酸化物を含む光半導体素子及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 II族-酸化物を含む光半導体素子において、マグネシウムを固溶させた亜鉛酸化物薄膜を有するようにした。マグネシウムを添加することにより、酸化亜鉛のバンドギャップは広がる。

請求項（抜粋）：