特許

J-GLOBAL ID：200903068321319946

ダイヤモンド多孔質体の製造方法

発明者： 藤嶋 昭 ,  益田 秀樹
出願人/特許権者： 東京大学長
代理人 (1件)： 杉村 暁秀 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-164770
公開番号（公開出願番号）：特開2000-001393
出願日： 1998年06月12日
公開日（公表日）： 2000年01月07日
要約：

【要約】【課題】 従来公知の煩雑な工程を採用することなく、微細な孔を高密度に有するダイヤモンド多孔質体を作製する方法を提供する。【解決手段】 前記課題を解決するため、本発明のダイヤモンド多孔質体の製造方法は、ダイヤモンド基板上に陽極酸化アルミナをマスクとして載せ、プラズマエッチング処理によりダイヤモンド基板にマスクと同一配列の細孔を形成することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

ダイヤモンド基板上に陽極酸化アルミナをマスクとして載せ、プラズマエッチング処理によりダイヤモンド基板にマスクと同一配列の細孔を形成することを特徴とするダイヤモンド多孔質体の製造方法。

Fターム (5件)：

4G077AA02 ,  4G077BA03 ,  4G077FG02 ,  4G077FG18 ,  4G077HA05

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体微細構造の製作方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-350452   出願人：古河電気工業株式会社
• 特開昭63-034927
  
• 特開平1-246116