特許
J-GLOBAL ID：200903068323859522
導電性金ペーストを用いた無電解金メッキ代替導電性金皮膜の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (3件)：
金田 暢之
, 伊藤 克博
, 石橋 政幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-010144
公開番号（公開出願番号）：特開2004-218055
出願日： 2003年01月17日
公開日（公表日）： 2004年08月05日
要約：
【課題】電子工業分野において、各種用途に利用される無電解金メッキ膜と代替可能な、無電解フラッシュ金メッキ法に匹敵する薄膜状の導電性金皮膜を簡便に、高い膜厚制御性と再現性で形成する方法の提供。【解決手段】平均粒子径100nm以下の金超微粒子を、その表面に、金元素と配位的な結合が可能なアミン化合物などの被覆層を設けて、有機溶媒中に分散させ、この被覆層のアミン化合物などと反応性を示す、有機の酸無水物またはその誘導体等を添加した導電性金ペーストを利用して、塗布膜を形成した上で、300°C以下で加熱処理して、金超微粒子が緻密に焼結した薄膜の金皮膜を作製する。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
金超微粒子を導電性媒体とする導電性金ペーストを用いて、無電解金メッキ代替導電性金皮膜を形成する方法であって、
該無電解金メッキ代替導電性金皮膜を形成する下地上に、前記導電性金ペーストの塗布層を形成する工程と、
形成された前記導電性金ペーストの塗布層を、300°Cを超えない温度にて加熱処理し、含有される金超微粒子相互を焼結する工程とを有し、
利用する前記導電性金ペーストは、分散媒体となる有機溶剤中に平均粒子径が1〜100nmの範囲に選択される金超微粒子が分散されており、
金超微粒子表面は、金元素と配位的な結合が可能な基として、窒素、酸素、イオウ原子のいずれかを含む基を有する化合物1種以上により被覆されており、
前記加熱処理を施す際、金元素と配位的な結合が可能な基として、窒素、酸素、イオウ原子を含む基を有する前記化合物の金超微粒子表面からの解離がなされることを特徴とする無電解金メッキ代替導電性金皮膜の形成方法。
IPC (3件)：
C23C24/08
, B22F1/02
, B22F3/10
C23C24/08 B
, B22F1/02 B
, B22F3/10 G
4K018AA02
, 4K018AB10
, 4K018AC01
, 4K018BA01
, 4K018BB05
, 4K018BC09
, 4K018CA33
, 4K018DA11
, 4K018DA21
, 4K018KA33
, 4K044AA06
, 4K044AA16
, 4K044BA06
, 4K044BA08
, 4K044BB02
, 4K044BC14
, 4K044CA24
, 4K044CA62
