特許
J-GLOBAL ID:200903068360739430

カルコパイライト吸収層を有する太陽電池

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 矢野 敏雄 (外3名)
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-510059
公開番号(公開出願番号):特表平9-503346
出願日: 1994年09月28日
公開日(公表日): 1997年03月31日
要約:
【要約】基板側に、クロム、チタン、タンタルおよび窒化チタンから選択される接着層の上に被覆されたカルコパイライト吸収層を有する太陽電池。
請求項(抜粋):
非導電性基板(S)、背面電極(RE)および一般的組成:CuIn1-xGaxS1-ySey(1≧x,y≧0)のカルコパイライト吸収層を有する太陽電池において、吸収層(AS)および背面電極の間にCr、Ti、Taおよび窒化チタンから選択される物質からなる中間層(ZS)が配置され、その際中間層(ZS)が厚さ1〜40nmを有することを特徴とする太陽電池。
引用特許:
審査官引用 (1件)

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