特許
J-GLOBAL ID：200903068360910708
ハイブリッドモジュールとその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
北條 和由
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-219270
公開番号（公開出願番号）：特開平10-051150
出願日： 1996年07月31日
公開日（公表日）： 1998年02月20日
要約：
【要約】【課題】 複数の絶縁層1、6、9、10間の回路パターンの結線が容易に行えると共に、絶縁層6、9、10の内部に回路部品の内蔵も可能であると共に、樹脂以外の例えばセラミック等の絶縁層も使用できるハイブリッドモジュール。【解決手段】 ハイブリッドモジュールは、複数の絶縁層1、6、9、10を積層すると共に絶縁層1、6、9、10の表面および層間に形成された回路パターン2がスルーホール導体7により接続されている。さらに、絶縁層6、9、10を、レーザー光に対して透過性を有する層とし、絶縁層1、6、9、10の層間に導出され、重ね合わせられた回路パターン2に、絶縁層6、9、10を通してレーザー光を照射することにより、それらを熱融着する。
請求項（抜粋）：
複数の絶縁層(1)、(6)、(9)、(10)を積層すると共に絶縁層(1)、(6)、(9)、(10)の表面および/または層間に形成された回路パターン(2)がスルーホール導体(7)により接続されているハイブリッドモジュールにおいて、絶縁層(1)、(6)、(9)、(10)の層間に導出され、互いに重ね合わせられた一部の回路パターン(2)が熱融着されていることを特徴とするハイブリッドモジュール。
IPC (2件)：
FI (4件)：
H05K 3/46 S
, H05K 3/46 N
, H05K 3/46 Q
, H01L 23/28 E
