特許

J-GLOBAL ID：200903068366772773

ドライエッチング方法

発明者： 柳田 敏治
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 高橋 光男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-312250
公開番号（公開出願番号）：特開平7-169739
出願日： 1993年12月13日
公開日（公表日）： 1995年07月04日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 3層レジストプロセスにおいて、下層レジスト層エッチング時のアンダーカットによる寸法変換差を防止する。【構成】 上層レジストパターンおよび中間層パターンをマスクとして、下層レジストをエッチングする場合、上層レジストパターンがエッチオフされる迄の第1のエッチングと、上層レジストパターンがエッチオフされた後の第2のエッチングで構成する。【効果】 上層レジストパターンがエッチオフされると、反応生成物による側壁保護膜の効果が低下する。そこで第2のエッチング工程ではエッチング条件を切り替えて、酸素ラジカルを低減したり、側壁保護膜の形状を助長することにより、下層レジストパターンのアンダーカットが防止できる。

請求項（抜粋）：

下地材料層上に有機材料層、中間層および上層レジストパターンを順次形成し、該上層レジストパターンをマスクに上記中間層をパターニングし、つぎに少なくとも中間層パターンをマスクに上記有機材料層をパターニングする多層レジストのドライエッチング方法において、上記有機材料層のパターニングは、上記上層レジストパターンがエッチオフされる迄の第1のエッチング工程と、上記上層レジストパターンがエッチオフされた後の、該第1のエッチング工程とは異なるエッチング条件の第2のエッチング工程とを有することを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  G03F 7/26 511 ,  H01L 21/027

FI (2件)：

H01L 21/302 H ,  H01L 21/30 573

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-267381   出願人：シャープ株式会社
• 特開平4-114426
  

審査官引用 (2件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-267381   出願人：シャープ株式会社
• 特開平4-114426