多孔質SiC成形体及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：福田保夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-362149
公開番号（公開出願番号）：特開2000-185981
出願日： 1998年12月21日
公開日（公表日）： 2000年07月04日
要約：

【要約】【課題】高気孔率、高強度で、表面部が平滑、高純度のSiC被膜で被覆され軽量化された多孔質SiC成形体及びその製造方法を提供する。【解決手段】 SiCウイスカーの骨格と、ポリカルボシランを熱処理して生成したSiCとが一体化した組織構造からなる多孔質炭化珪素成形体の表面に、CVD法によるSiC被膜が形成されてなる多孔質SiC成形体。その製造方法はSiCウイスカープリフォームの表面にポリビニルアルコール水溶液を被着、加熱乾燥して強化したSiCウイスカープリフォームに、ポリカルボシランを溶解したバインダー溶液を含浸し、乾燥した後、非酸化性雰囲気中700〜1700°Cの温度で熱処理し、次いでCVD法によりSiC被膜を形成する。

請求項（抜粋）：

SiCウイスカーを骨格とし、SiCウイスカーの骨格とポリカルボシランを熱処理して生成したSiCとが一体化した組織構造からなる多孔質炭化珪素成形体の表面に、化学的気相蒸着法(CVD法)によるSiC被膜が形成されてなることを特徴とする多孔質SiC成形体。

IPC (6件)：

C04B 38/00 304 , C04B 35/565 , C04B 41/85 , C04B 41/87 , C23C 16/32 , H01L 21/205

FI (7件)：

C04B 38/00 304 Z , C04B 41/85 C , C04B 41/87 G , C23C 16/32 , H01L 21/205 , C04B 35/56 101 L , C04B 35/56 101 X

Fターム (31件)：

4G001BA22 , 4G001BA77 , 4G001BA86 , 4G001BB22 , 4G001BB86 , 4G001BC12 , 4G001BC13 , 4G001BC22 , 4G001BC33 , 4G001BC46 , 4G001BC47 , 4G001BC72 , 4G001BD04 , 4G001BD14 , 4G001BD38 , 4G001BE35 , 4G019GA04 , 4K030AA06 , 4K030AA11 , 4K030AA17 , 4K030BA37 , 4K030CA05 , 4K030CA11 , 4K030LA00 , 5F045AA03 , 5F045AB06 , 5F045AC03 , 5F045AC08 , 5F045AC14 , 5F045AD18 , 5F045AF02

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平3-084308
高密度繊維強化複合材料の製造装置および製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-186175 出願人：住友電気工業株式会社
多孔質SiC成形体の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-191099 出願人：東海カーボン株式会社

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