結晶性シリコンの形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：北村修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-277424
公開番号（公開出願番号）：特開平8-139025
出願日： 1994年11月11日
公開日（公表日）： 1996年05月31日
要約：

【要約】【目的】比較的高温の温度域において、結晶性シリコンを、安価且つ安全な原料から形成することができ、高濃度ドーピングが可能となるとともに、不純物原子の取り込みを抑制できる結晶性シリコンの形成方法を得る。【構成】原料ガスを成長室3内に導き、この成長室3内に保持された基板5近傍に移流する原料ガスを励起光8で励起して、基板表面に所定の結晶層を得る光励起気相成長法によって、基板表面に結晶性シリコンを得る場合に、重水素、ジシラン(Si2H6)とハロゲン化モノシランを原料ガスとし、この原料ガスを光励起できる波長の励起光を原料ガスに照射して、基板表面上に選択的に結晶性シリコンを形成する。

請求項（抜粋）：

原料ガスを成長室(3)内に導き、前記成長室(3)内に保持された基板(5)近傍に移流する前記原料ガスを励起光(8)で励起して、基板表面に所定の結晶層を得る光励起気相成長法により、前記基板表面に結晶性シリコンを得る結晶性シリコンの形成方法であって、重水素とハロゲン化モノシランを前記原料ガスとして、前記原料ガスを光励起できる波長の励起光を前記原料ガスに照射して、前記基板表面上に選択的に前記結晶性シリコンを形成する結晶性シリコンの形成方法。

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平2-244613
特開昭62-126628
結晶の成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-262716 出願人：株式会社リコー

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