特許
J-GLOBAL ID：200903068443459080
改善された抵抗性のための薄膜CVDダイヤモンド被膜の表面加工及び加工された被膜を有する集積回路パッケ-ジ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石田 敬 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-006158
公開番号（公開出願番号）：特開平11-255598
出願日： 1999年01月13日
公開日（公表日）： 1999年09月21日
要約：
【要約】【課題】 基体に被覆された薄膜CVDダイヤモンド被膜の抵抗性を増す信頼できる方法を提供する。【解決手段】 薄膜ダイヤモンド被膜及び基体複合体を、酸化性気体状元素で低温プラズマ加工装置中で処理する。この処理のあいだに、上記酸化性プラズマはグラファイト性表面カーボンと反応して揮発性表面分子を生じ、これはダイヤモンドから吸い出され、プラズマ中の酸素はダイヤモンド性カーボンと結合して上記薄膜ダイヤモンド被膜を停止する。また、上記処理された複合体(熱的に伝導性であり、電気的に抵抗性である)をベースにして、この上にICチップとリードを設けこの両者をワイヤで接続する。これによって、このリードは直接の熱消散伝導路を提供する。
請求項（抜粋）：
基体とこの基体の上に設けられた薄膜ダイヤモンド被膜とからなる複合体を加工する方法で、前記薄膜ダイヤモンド被膜はグラファイト様カーボンを有する表面近傍及び表面の少なくとも1つを有するものであって、次のことを含む方法:a)前記複合体をプラズマ加工装置中に入れること;b)前記プラズマ加工装置中に酸化性エッチング剤を入れること;c)前記薄膜ダイヤモンド被膜を前記酸化性エッチング剤でプラズマエッチングして前記薄膜ダイヤモンド被膜が化学的に停止さ(terminate)れるようにすること、ここに、前記化学停止は前記薄膜ダイヤモンド被膜の抵抗率を増すものである。
引用特許：
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