特許
J-GLOBAL ID：200903068443462995

炭化ケイ素焼結体の製造方法

発明者：
小高 文雄

小高 文雄 について

, 
高橋 佳智

高橋 佳智 について


出願人/特許権者：
株式会社ブリヂストン

株式会社ブリヂストン について


代理人 (1件)： 中島 淳 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-317954
公開番号（公開出願番号）：特開2000-143359
出願日： 1998年11月09日
公開日（公表日）： 2000年05月23日
要約：
【要約】【課題】 複雑な装置を必要とせず、外観に優れた表面状態を有し、高純度、高密度、高強度で均一な特性を有する炭化ケイ素焼結体の製造方法を提供する。【解決手段】 炭化ケイ素粉末と、炭素源からなる有機物質又は炭素粉末と、を溶媒中で溶解、分散して、スラリー状の混合粉体を製造する工程と、スラリー状の混合粉体を成形型に流し込み、乾燥して、グリーン体を製造する工程と、真空雰囲気又は不活性ガス雰囲気下、炭素繊維集合体の一端をグリーン体に接触させ、炭素繊維集合体の他端を、1450〜1700°Cに溶融した金属シリコン中に浸漬させて、毛細管現象により炭素繊維集合体を介し金属シリコンをグリーン体中の気孔に浸透させる工程と、浸透させたシリコンと、グリーン体中の遊離炭素と、を反応せしめて炭化ケイ素を生成させてグリーン体中の気孔を埋める工程と、を有することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
炭化ケイ素粉末と、少なくとも1種の炭素源からなる有機物質又は炭素粉末と、を溶媒中で溶解、分散して、スラリー状の混合粉体を製造する工程と、該スラリー状の混合粉体を成形型に流し込み、乾燥して、グリーン体を製造する工程と、真空雰囲気又は不活性ガス雰囲気下、炭素繊維集合体の一端を該グリーン体に接触させ、炭素繊維集合体の他端を、1450〜1700°Cに加熱・溶融した金属シリコン中に浸漬させて、毛細管現象により炭素繊維集合体を介し金属シリコンをグリーン体中の気孔に浸透させる工程と、該浸透させたシリコンと、グリーン体中の遊離炭素と、を反応せしめて炭化ケイ素を生成させてグリーン体中の気孔を埋める工程と、を有することを特徴とする炭化ケイ素焼結体の製造方法。
IPC (3件)：
C04B 35/80 ,  C04B 35/565 ,  C04B 41/88
FI (3件)：
C04B 35/80 K ,  C04B 41/88 U ,  C04B 35/56 101 L
Fターム (17件)：
4G001BA04 ,  4G001BA22 ,  4G001BA60 ,  4G001BA62 ,  4G001BA71 ,  4G001BA78 ,  4G001BB22 ,  4G001BB71 ,  4G001BC01 ,  4G001BC13 ,  4G001BC25 ,  4G001BC31 ,  4G001BC33 ,  4G001BC46 ,  4G001BC47 ,  4G001BD14 ,  4G001BD38
引用特許：
審査官引用 (3件)

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