薄膜トランジスタ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木晴敏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-079418
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263705
出願日： 1994年03月24日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：

【要約】【目的】マルチゲートLDD構造を有する薄膜トランジスタの小型微細化を図る。【構成】薄膜トランジスタは絶縁基板1に成膜された半導体薄膜2を素子領域とする。第1ゲート電極41及び第2ゲート電極42がゲート絶縁膜3を介して半導体薄膜2に積層されている。半導体薄膜2は複数の領域に区分されており、第1ゲート電極41より外側に位置する第1高濃度不純物領域51と、第1ゲート電極41と整合する第1チャネル領域61と、第1高濃度不純物領域51及び第1チャネル領域61の間に介在する第1低濃度不純物領域71と、第2ゲート電極42に整合する第2チャネル領域62と、第1チャネル領域61及び第2チャネル領域62の間に連続する中間領域8と、第2ゲート電極42より外側に位置する第2高濃度不純物領域52と、第2チャネル領域62及び第2高濃度不純物領域52の間に介在する第2低濃度不純物領域72とを有する。中間領域8は第3の低濃度不純物領域のみからなる。

請求項（抜粋）：

半導体薄膜と、絶縁膜を介して該半導体薄膜に重ねられ且つ互いに離間配置された第1ゲート電極及び第2ゲート電極とを有する薄膜トランジスタであって、前記半導体薄膜は、第1ゲート電極より外側に位置する第1高濃度不純物領域と、第1ゲート電極と整合する第1チャネル領域と、第1高濃度不純物領域及び第1チャネル領域の間に介在する第1低濃度不純物領域と、第2ゲート電極に整合する第2チャネル領域と、第1チャネル領域及び第2チャネル領域の間に連続する中間領域と、第2ゲート電極より外側に位置する第2高濃度不純物領域と、第2チャネル領域及び第2高濃度不純物領域の間に介在する第2低濃度不純物領域とに区分されており、前記中間領域は第3の低濃度不純物領域のみからなる事を特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 29/786 , G02F 1/136 500

FI (2件)：

H01L 29/78 311 S , H01L 29/78 311 G

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平4-344618
特開平4-286335
薄膜トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-279945 出願人：シヤープ株式会社

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