特許

J-GLOBAL ID：200903068481823012

半導体装置及びその製造方法

発明者： 高橋 邦方 ,  横川 俊哉 ,  北畠 真 ,  内田 正雄 ,  楠本 修 ,  山下 賢哉
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-131497
公開番号（公開出願番号）：特開2002-329670
出願日： 2001年04月27日
公開日（公表日）： 2002年11月15日
要約：

【要約】【課題】 基板中のマイクロパイプ欠陥がSiC膜に引き継がれることを抑制する手段を講じ、マイクロパイプ欠陥が少なく、結晶性が良好なSiC薄膜を備えた半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 CVD法により、不純物を導入しないSiC層であるアンドープ層22をエピタキシャル成長させる工程と、パルス状に窒素を導入したSiC層である不純物ドープ層23をエピタキシャル成長させる工程とを交互に繰り返し、抑制層30をSiC基板3b上に形成する。抑制層30中の窒素の濃度プロファイルは急峻になっているため、マイクロパイプの引継ぎを抑制できる。抑制層30の上に活性領域となるSiC層を堆積し、半導体装置を形成することにより、SiCの高耐圧性、高温動作性を生かした半導体装置を製造することができる。

請求項（抜粋）：

SiC基板と、上記SiC基板上に形成され,高濃度の不純物を含む少なくとも1つの高濃度SiC層を含む,マイクロパイプの引継ぎを抑制する機能を持つ抑制層と、上記抑制層の上に形成された活性領域とを備えた半導体装置。

IPC (11件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/16 ,  H01L 29/78 652 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/78 653 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/872

FI (11件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/28 301 F ,  H01L 29/16 ,  H01L 29/78 652 F ,  H01L 29/78 652 G ,  H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/78 653 A ,  H01L 29/48 D ,  H01L 29/78 658 E ,  H01L 29/80 B

Fターム (31件)：

4M104AA03 ,  4M104BB01 ,  4M104BB05 ,  4M104BB09 ,  4M104CC03 ,  4M104CC05 ,  4M104GG03 ,  4M104GG09 ,  4M104GG12 ,  4M104GG18 ,  5F045AB06 ,  5F045AC01 ,  5F045AC16 ,  5F045AC18 ,  5F045AC19 ,  5F045BB12 ,  5F045DP03 ,  5F045EB02 ,  5F052KA01 ,  5F102FA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GK02 ,  5F102GK08 ,  5F102GL02 ,  5F102GL08 ,  5F102GL20 ,  5F102GT01 ,  5F102HC04

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体膜の成長方法及び半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-060210   出願人：松下電器産業株式会社