特許

J-GLOBAL ID：200903068566471298

銅被膜の選択形成方法

発明者： 鈴木 啓之 ,  大宮 可容子 ,  山田 啓作
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-203052
公開番号（公開出願番号）：特開2001-035811
出願日： 1999年07月16日
公開日（公表日）： 2001年02月09日
要約：

【要約】【課題】 金属、絶縁材料等の任意の材料からなる下地の必要とする領域に銅を選択的に堆積して原料コストの低減等を達成することが可能な銅被膜の選択形成方法を提供しようとものである。【解決手段】 基板上の下地膜表面にシランカップリング剤または界面活性剤の薄膜を形成する工程と、前記薄膜の銅被膜形成予定領域にUV光を選択的に照射する工程と、銅のCVDを行なって、前記下地膜の銅被膜形成予定領域に銅被膜を選択的に成膜する工程とを具備したことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

基板上の下地膜表面にシランカップリング剤または界面活性剤の薄膜を形成する工程と、前記薄膜の銅被膜形成予定領域を親水性にする工程と、銅のCVDを行なって、前記下地膜の銅被膜形成予定領域に銅被膜を選択的に成膜する工程とを具備したことを特徴とする銅被膜の選択形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/285 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 21/285 C ,  H01L 21/88 M ,  H01L 29/78 616 K

Fターム (42件)：

4M104AA01 ,  4M104AA08 ,  4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104CC05 ,  4M104DD43 ,  4M104DD45 ,  4M104DD47 ,  4M104FF21 ,  4M104GG08 ,  4M104GG14 ,  5F033HH11 ,  5F033PP02 ,  5F033PP08 ,  5F033QQ01 ,  5F033QQ68 ,  5F033VV06 ,  5F033XX08 ,  5F110AA03 ,  5F110AA16 ,  5F110AA28 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110EE02 ,  5F110EE45 ,  5F110EE47 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF30 ,  5F110FF32 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG32 ,  5F110GG47 ,  5F110GG53 ,  5F110PP03 ,  5F110PP27 ,  5F110PP32 ,  5F110QQ04

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-181289   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体装置の製造方法及び製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-211979   出願人：株式会社東芝