特許
J-GLOBAL ID：200903068607634440
量子井戸構造半導体素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩佐 義幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-323000
公開番号（公開出願番号）：特開平7-183617
出願日： 1993年12月22日
公開日（公表日）： 1995年07月21日
要約：
【要約】【目的】 従来、周波数変調効率が低く雑音特性、コヒーレント特性に欠点のあった量子井戸構造半導体素子の課題を解決し、低雑音・高変調効率の量子井戸構造素子を容易に、歩留まり良く作製する手段を提供する。【構成】 本発明は、量子井戸層50および閉じ込め層31,32を含む半導体層を積層してなる量子井戸構造半導体素子において、閉じ込め層31,32内に閉じ込め層よりもバンドギャップの小さな第二の閉じ込め層40を用いることにより、周波数変調効率が大きく低雑音なDFB-LDを容易に実現する。
請求項（抜粋）：
量子井戸層および閉じ込め層を含む半導体層を半導体基板上に積層してなる量子井戸構造半導体素子において、閉じ込め層内に閉じ込め層よりもバンドギャップの小さな第二の閉じ込め層を有することを特徴とする量子井戸構造半導体素子。
IPC (4件)：
H01S 3/18
, H01L 29/06
, H01L 29/68
, H01L 33/00
