特許

J-GLOBAL ID：200903068610193764

膜厚測定装置及びポリシング装置

発明者： 内田 順三
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-336969
公開番号（公開出願番号）：特開平8-240413
出願日： 1995年12月25日
公開日（公表日）： 1996年09月17日
要約：

【要約】【課題】本発明は、ポリシング装置上オンマシンで基板上に形成された膜厚を精度高く測定し、ポリシング加工による膜厚を精度高く管理してポリシング装置のスループットを向上し、テストウエハによるコスト損失をなくす。【解決手段】半導体ウエハ1の上方に測定本体端末31を配置し、この測定本体端末31における投受光光学系34、35を通して半導体ウエハ1上に白色光を照射し、この半導体ウエハ1からの反射光により生じる干渉縞を検出して干渉分光膜厚計324により半導体ウエハ1の絶縁膜の膜厚を測定し、この膜厚の測定値に基づいてポリシング加工の時間を制御する。

請求項（抜粋）：

透光性を有する膜が表面に形成された基板上に光を照射し、この基板からの反射光により生じる干渉縞を検出して前記膜厚を測定する膜厚測定装置において、少なくとも前記光を上方から前記基板上に照射するとともに前記基板からの反射光を受光する投受光光学系を内部に設けた測定本体端末、を備えたことを特徴とする膜厚測定装置。

IPC (4件)：

G01B 11/06 ,  B24B 37/04 ,  H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304

FI (4件)：

G01B 11/06 G ,  B24B 37/04 D ,  H01L 21/304 321 E ,  H01L 21/304 321 S

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体基板の平坦化方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-037627   出願人：松下電器産業株式会社
• 特開平2-044204
  
• 特開平2-044204