特許

J-GLOBAL ID：200903068617608110

膜形成方法、デバイス製造方法、電気光学装置、並びに電子機器

発明者： 増田 貴史
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 西 和哉 ,  志賀 正武 ,  青山 正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-195825
公開番号（公開出願番号）：特開2005-028276
出願日： 2003年07月11日
公開日（公表日）： 2005年02月03日
要約：

【課題】微細なパターン形成や材料使用量の低減化に対応可能であり、基板上の所望の位置に膜を安定して形成することができる膜形成方法を提供する。【解決手段】第1液滴11を基板20上に配置する工程と、第1液滴を乾燥して、縁の膜厚が中央部の膜厚に比べて厚い形状を有する乾燥膜12を形成する工程と、第1液滴の乾燥膜12の縁部に囲まれた領域に第2液滴13を配置し、第2液滴の乾燥膜14を形成する工程とを有する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

第1液滴を基板上に配置する工程と、 該第1液滴を乾燥して、縁の膜厚が中央部の膜厚に比べて厚い形状を有する乾燥膜を形成する工程と、 前記第1液滴の乾燥膜の縁部に囲まれた領域に第2液滴を配置し、該第2液滴の乾燥膜を形成する工程とを有することを特徴とする膜形成方法。

IPC (3件)：

B05D3/02 ,  B05D7/00 ,  G02B5/20

FI (3件)：

B05D3/02 Z ,  B05D7/00 H ,  G02B5/20 101

Fターム (35件)：

2H048BA02 ,  2H048BA64 ,  2H048BB02 ,  2H048BB42 ,  4D075AE02 ,  4D075AE04 ,  4D075BB24Z ,  4D075BB91Z ,  4D075BB95Z ,  4D075CA22 ,  4D075CA36 ,  4D075CB06 ,  4D075CB07 ,  4D075CB08 ,  4D075DA04 ,  4D075DA06 ,  4D075DB01 ,  4D075DB13 ,  4D075DB14 ,  4D075DB36 ,  4D075DB43 ,  4D075DB48 ,  4D075DB55 ,  4D075DC19 ,  4D075DC21 ,  4D075DC24 ,  4D075EA07 ,  4D075EA10 ,  4D075EA45 ,  4D075EB43 ,  4D075EC07 ,  4D075EC10 ,  4D075EC11 ,  4D075EC17 ,  4D075EC45

引用特許：

審査官引用 (4件)

• パターン形成方法、パターン形成装置、導電膜配線、デバイスの製造方法、電気光学装置、並びに電子機器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-106593   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 膜パターンの形成方法、膜パターン形成装置、導電膜配線、電気光学装置、電子機器、非接触型カード媒体、圧電体素子、並びにインクジェット式記録ヘッド
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-118287   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 薄膜形成方法ならびにこれを用いた薄膜構造体の製造装置、半導体装置の製造方法、および電気光学装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-324120   出願人：セイコーエプソン株式会社
• レジスト塗布方法、薄膜形成方法、及び電気光学素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-094086   出願人：セイコーエプソン株式会社