特許
J-GLOBAL ID：200903068649332648
相変化メモリ素子、相変化チャンネルトランジスタおよびメモリセルアレイ
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (4件)：
青木 篤
, 鶴田 準一
, 島田 哲郎
, 倉地 保幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-211262
公開番号（公開出願番号）：特開2008-041778
出願日： 2006年08月02日
公開日（公表日）： 2008年02月21日
要約：
【課題】相変化メモリ素子において、アモルファス相から結晶相への相転移に要する電圧を低減する。【解決手段】相変化メモリ素子(1)は、第1の電極(6)と、第2の電極(8)と、第1(6)および第2の電極(8)間に設けたメモリ層(14)と、を備え、このメモリ層(14)は、少なくとも、室温でアモルファス相および結晶相で安定する相変化材料で構成される第1の層(10)と、抵抗材料で構成される第2の層(12)とを含み、第2の層(12)の抵抗値を、第1の層(10)がアモルファス相である場合の抵抗値より小さく、第1の層(10)が結晶相である場合の抵抗値よりも大きくしている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1の電極と、
第2の電極と、
前記第1および第2の電極間に設けたメモリ層と、を備え、
前記メモリ層は、少なくとも、室温でアモルファス相および結晶相で安定する相変化材料で構成される第1の層と、抵抗材料で構成される第2の層とを含み、前記第2の層の抵抗値は、前記第1の層がアモルファス相である場合の抵抗値よりも小さく、前記第1の層が結晶相である場合の抵抗値よりも大きいことを特徴とする、相変化メモリ素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L27/10 448
, H01L45/00 A
5F083FZ10
, 5F083GA27
, 5F083JA36
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083JA56
, 5F083JA60
, 5F083KA01
, 5F083KA05
, 5F083KA11
, 5F083MA06
, 5F083MA20
, 5F083NA01
