特許

J-GLOBAL ID：200903011082839310

記録素子

発明者： 保坂 純男 ,  曽根 逸人
出願人/特許権者： 保坂 純男 ,  曽根 逸人
代理人 (1件)： 西澤 利夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-323713
公開番号（公開出願番号）：特開2005-093619
出願日： 2003年09月16日
公開日（公表日）： 2005年04月07日
要約：

【課題】 回転機構系を用いず、超高密度で、高速で相変化記録が実現できるメモリトランジスタおよびその応用装置を提供する。【解決手段】 回転機構や光ヘッドの位置決め機構を用いず、第1の電極と第2の電極と、その間に相変化材料を用いた記憶部材2を挟み、記憶部材に流れる電流を制御する制御電圧を設けた構造を情報記憶のメモリセルとし、これを基板上に複数個配置して記録素子とした。これに、情報の記憶原理として相変化材料のもつ結晶相及び非晶質相の抵抗値の違いを用い、書き込み、消去手段として電流加熱を用い、制御電極により電子電流を制御できるものとする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

第1の電極、第2の電極並びに第3の電極との3つの電極を有し、第1の電極と第2の電極の間には相変化材料部材を備えることで1つの情報記録単位(セル)を構成したことを特徴とする記録素子。

IPC (1件)：

H01L27/10

FI (2件)：

H01L27/10 451 ,  H01L27/10 431

Fターム (5件)：

5F083CR15 ,  5F083FZ10 ,  5F083JA60 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体記憶装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-024918   出願人：株式会社日立製作所
• カルコゲニドクラッド法を使用する単一レベルの金属メモリーセル
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2003-572095   出願人：オヴォニクスインコーポレイテッド
• 磁気メモリデバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-084554   出願人：名古屋大学長, 三洋電機株式会社
• 不揮発性メモリおよびその駆動方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-305518   出願人：ソニー株式会社