特許

J-GLOBAL ID：200903068666965379

スパッタ成膜応用のためのプラズマ処理装置

発明者： スニル ウィクラマナヤカ ,  中川 行人 ,  沼沢 陽一郎
出願人/特許権者： アネルバ株式会社
代理人 (1件)： 田宮 寛祉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-156417
公開番号（公開出願番号）：特開2000-345339
出願日： 1999年06月03日
公開日（公表日）： 2000年12月12日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 均一な成膜が得られるようにしたプラズマスパッタリング装置を提供する。【解決手段】 本発明はターゲットプレートの半径線に渡り均一のスパッタ速度を作り出すためにターゲットプレートの近傍で半径方向に均一なイオンとラジカルの密度を提供することを企図している。この処理装置は、上部電極12と下部電極13を含む反応容器11と、上部電極に固定されたターゲットプレート14とから構成される。基板15は下部電極の上に搭載される。さらに上部電極に接続されかつHFまたはVHFの領域で動作する高周波電源16と、上部電極と下部電極の間で二次的プラズマがその内側表面の前で生成されるようにしたプラズマシールドリング20とを備える。初期プラズマと二次的プラズマの合成プラズマに基づいてターゲットプレートの下側に半径方向に均一なイオン密度とラジカル密度が作り出され得る。

請求項（抜粋）：

内部空間の少なくとも一部を横切って互いに向かい合う上部電極と下部電極を含む反応容器と、前記上部電極に固定されるターゲットプレートからなり、ここで前記下部電極の上に搭載される基板はスパッタリングプロセスで処理され、HFまたはVHFの領域で動作する、前記上部電極に接続された高周波電力源と、内側表面の前に二次的プラズマが生成されるように前記上部電極と前記下部電極の間に配置されたプラズマシールドリングと、からなることを特徴とするスパッタ成膜応用のためのプラズマ処理装置。

IPC (2件)：

C23C 14/40 ,  H01L 21/203

FI (2件)：

C23C 14/40 ,  H01L 21/203 S

Fターム (6件)：

4K029DC20 ,  4K029DC28 ,  4K029DC35 ,  5F103AA08 ,  5F103BB23 ,  5F103RR06

引用特許：

審査官引用 (1件)

• スパッタリング装置及びスパッタリング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-165214   出願人：アネルバ株式会社