特許
J-GLOBAL ID:200903068669489675

アクティブマトリクス基板の製造方法及びその製造装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 山本 秀策
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-081831
公開番号(公開出願番号):特開平11-282010
出願日: 1998年03月27日
公開日(公表日): 1999年10月15日
要約:
【要約】【課題】 アクティブマトリクス基板の製造において、短絡部の修正の信頼性を向上させると共に修正の有効範囲を広げる。【解決手段】 ゲート信号線1、データ信号線2及びTFTを覆う層間絶縁膜7上に画素電極3が設けられているアクティブマトリクス基板の製造において、層間絶縁膜7の形成前にゲート信号線間の短絡部又はデータ信号線間の短絡部にレーザを照射して除去し、除去部上にも層間絶縁膜7を形成する。
請求項(抜粋):
複数の走査配線及び複数の信号配線が絶縁膜を介して互いに交差するように設けられ、両配線の交差部近傍にスイッチング素子が設けられ、該走査配線、該信号配線及び該スイッチング素子を覆うように設けられた層間絶縁膜上に画素電極が設けられているアクティブマトリクス基板を製造する方法であって、該走査配線、該信号配線及び該スイッチング素子を形成する工程と、該走査配線間又は該信号配線間に短絡が生じている場合に、レーザ照射により短絡部を除去する工程と、レーザ照射による除去部、該走査配線、該信号配線及び該スイッチング素子を覆うように該層間絶縁膜を形成する工程とを含むアクティブマトリクス基板の製造方法。
IPC (2件):
G02F 1/136 500 ,  H01L 29/786
FI (2件):
G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 612 A
引用特許:
審査官引用 (4件)
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