特許
J-GLOBAL ID：200903068672095149
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
▲柳▼川 信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-099502
公開番号（公開出願番号）：特開平10-294423
出願日： 1997年04月17日
公開日（公表日）： 1998年11月04日
要約：
【要約】【課題】 宇宙機器や自動車等の用途の使用に耐える、耐振動性,耐衝撃性の優れた3次元半導体モジュールの構造を提供する。【解決手段】 チップ2が金バンプ3によりフリップチップ接続された基板1を、積層用の半田バンプ7によって複数個積層させる。チップ上面9と基板1との間隙には、柔軟性を有する樹脂を充填させ、緩衝材層8を設ける。この様な3次元半導体モジュールの構造とすることにより、緩衝材層8が外部から加わる振動や衝撃を吸収するため、耐振動性,耐衝撃性が向上する。
請求項（抜粋）：
半導体チップが夫々搭載された基板が互いに金属電極により複数個電気的に接続されて積層された構造の半導体装置であって、前記基板の裏面と半導体チップの上面との間に緩衝材を設けたことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 25/065
, H01L 25/07
, H01L 25/18
