半導体集積回路の設計方法および半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高田守 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-332994
公開番号（公開出願番号）：特開2003-142952
出願日： 2001年10月30日
公開日（公表日）： 2003年05月16日
要約：

【要約】【課題】広帯域で安定して動作する半導体集積回路を、設計者に負担をかけずに簡単に設計できるようにして、広帯域で動作する高質かつ低コストの半導体装置を提供する。【解決手段】トランジスタに抵抗、キャパシタ、インダクタなどの受動素子を組み合わせたトランジスタセル22を設計する。受動素子はトランジスタセル22の所望の周波数帯域における最大有能利得特性が周波数に対して平坦な特性となるように定める。また、そのトランジスタセルの入出力インピーダンスを整合させるための整合回路を、その整合回路において発生する損失が周波数に対して平坦な特性を有するように設計する。そのように設計したトランジスタセルと整合回路を組み合わせることによって半導体集積回路を設計する。

請求項（抜粋）：

広周波数帯域で動作する半導体集積回路の設計方法において、トランジスタと所定の素子とを組み合わせたトランジスタセルを、該トランジスタセルの所望の周波数帯域における最大有能利得特性が周波数に対して平坦な特性となるように前記所定の素子を定めることによって設計し、前記トランジスタセルの入出力インピーダンスを整合させるための整合回路を、該整合回路において発生する損失が周波数に対して平坦な特性を有するように設計し、前記トランジスタセルを前記整合回路と組み合わせることによって半導体集積回路を設計することを特徴とする半導体集積回路の設計方法。

IPC (3件)：

H03F 1/42 , H01L 21/822 , H01L 27/04

FI (2件)：

H03F 1/42 , H01L 27/04 A

Fターム (36件)：

5F038AZ04 , 5F038CA02 , 5F038CD20 , 5F038DF01 , 5F038DF02 , 5F038EZ20 , 5J091AA01 , 5J091CA62 , 5J091CA87 , 5J091FA00 , 5J091HA09 , 5J091HA25 , 5J091HA29 , 5J091HA33 , 5J091KA29 , 5J091MA08 , 5J091MA11 , 5J091QA03 , 5J091SA13 , 5J091TA01 , 5J091TA03 , 5J500AA01 , 5J500AC62 , 5J500AC87 , 5J500AF00 , 5J500AH09 , 5J500AH25 , 5J500AH29 , 5J500AH33 , 5J500AK29 , 5J500AM08 , 5J500AM11 , 5J500AQ03 , 5J500AS13 , 5J500AT01 , 5J500AT03

引用特許：

審査官引用 (4件)

電界効果トランジスタ、該電界効果トランジスタを含むモノリシックマイクロ波集積回路、及び設計方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-215146 出願人：三菱電機株式会社
特開昭57-018104
特開平4-364082

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