特許

J-GLOBAL ID：200903052704989119

電界効果トランジスタ、該電界効果トランジスタを含むモノリシックマイクロ波集積回路、及び設計方法

発明者： 久留須 整 ,  宇土元 純一
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-215146
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044448
出願日： 1999年07月29日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：

【要約】【課題】 整合回路等の回路要素を設けた場合であっても、安定化条件が変わらない安定化回路を備えたFETを提供する。【解決手段】 FETの内部に安定化回路を形成して、電力増幅器の使用周波数帯域で予めFETを安定化させておく。

請求項（抜粋）：

電力増幅器に用いられる電界効果トランジスタであって、該電界効果トランジスタのゲート電極が、対向配置されたソース電極とドレイン電極との間に挟まれたフィンガ部と、該ゲート電極を外部と接続する電極部と、該フィンガ部と該電極部との間を接続する接続部とを含み、該接続部と該ソース電極との間に安定化回路が設けられたことを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 29/812 ,  H01L 21/338

FI (2件)：

H01L 29/80 R ,  H01L 29/80 L

Fターム (15件)：

5F102FA07 ,  5F102GA01 ,  5F102GA16 ,  5F102GA17 ,  5F102GB01 ,  5F102GB02 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GR04 ,  5F102GS01 ,  5F102GS04 ,  5F102GS09 ,  5F102GT03 ,  5F102GT05 ,  5F102HC11

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平1-132171
  
• マイクロ波・ミリ波モノリシック集積回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-031437   出願人：富士通株式会社, 株式会社ミリウェイブ
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-263360   出願人：三菱電機株式会社
• 特開平2-090561