単結晶成長方法及び単結晶成長装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井内龍二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-233209
公開番号（公開出願番号）：特開平7-082084
出願日： 1993年09月20日
公開日（公表日）： 1995年03月28日
要約：

【要約】【構成】融液から結晶を引き上げながら成長させるSi単結晶14の成長方法において、成長させたSi単結晶14を1200°Cから700°Cの温度範囲において急冷する単結晶成長方法。【効果】 Si単結晶引き上げ時の酸素析出物の成長を抑制することができ、高品質のSi単結晶14を製造することができる。また前記方法により得られたSi単結晶14より作製されたSiウエハではその後の熱処理等においてもOSFの発生を少なくすることができる。

請求項（抜粋）：

融液から結晶を引き上げながら成長させるSi単結晶の成長方法であって、成長させたSiの単結晶を1200°Cから700°Cの温度範囲において急冷することを特徴とする単結晶成長方法。

IPC (3件)：

C30B 29/06 502 , C30B 15/00 , H01L 21/208

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開昭57-205397
特開昭61-068389
特開昭63-050391

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