シリコンウェーハ表面の金属膜の除去方法とそれに用いる酸性水溶液、及びシリコンウェーハの再生方法

発明者：
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：荒船良男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-110868
公開番号（公開出願番号）：特開平11-302877
出願日： 1998年04月21日
公開日（公表日）： 1999年11月02日
要約：

【要約】【課題】手間と時間が従来よりかからず、金属膜のみ除去することができる、シリコンウェーハ表面の金属膜の除去方法とそれに用いる酸性水溶液、及びシリコンウェーハの再生方法を提供する。【解決手段】金属膜が表面に付着しているシリコンウェーハを、酸性水溶液に浸漬して、前記金属膜を除去する、シリコンウェーハ表面の金属膜の除去方法において、前記酸性水溶液は、酸性成分として、フッ化水素を5重量%以上20重量%以下の濃度で含有し、硝酸を15重量%以上30重量%以下の濃度で含有し、かつ、前記フッ化水素と前記硝酸とを含む酸性成分を、20重量%以上50重量%以下の濃度で含有する。また、前記金属膜の除去方法によって、金属膜を除去したシリコンウェーハを、ラッピングしないで、研磨することを特徴とするシリコンウェーハの再生方法である。

請求項（抜粋）：

金属膜が表面に付着しているシリコンウェーハを、酸性水溶液に浸漬して、前記金属膜を除去する、シリコンウェーハ表面の金属膜の除去方法において、前記酸性水溶液は、酸性成分として、フッ化水素を5重量%以上20重量%以下の濃度で含有し、硝酸を15重量%以上30重量%以下の濃度で含有し、かつ、前記フッ化水素と前記硝酸とを含む酸性成分を、20重量%以上50重量%以下の濃度で含有することを特徴とするシリコンウェーハ表面の金属膜の除去方法。

IPC (3件)：

C23F 1/24 , H01L 21/306 , H01L 21/308

FI (3件)：

C23F 1/24 , H01L 21/308 F , H01L 21/306 M

引用特許：

審査官引用 (3件)

半導体ウェハの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-279819 出願人：コマツ電子金属株式会社
再生ウェーハの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-290019 出願人：三菱マテリアル株式会社, 三菱マテリアルシリコン株式会社
特開昭51-019966

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