特許

J-GLOBAL ID：200903068750291782

絶縁膜、絶縁膜パターン、薄膜トランジスタ、液晶表示装置、及び、液体パターン形成装置

発明者： 田邉 浩
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 稲垣 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-011302
公開番号（公開出願番号）：特開2007-142451
出願日： 2007年01月22日
公開日（公表日）： 2007年06月07日
要約：

【課題】原材料をあらかじめ選択的に基板上に供給することにより、使用する原材料の量を削減し、且つ、フォトリソグラフィ工程及びエッチング工程を省いて製造工程の簡略化を図る。【解決手段】液状原料を液滴102として所定の方向に複数回吐出、飛翔させて選択的に基板101上に塗布し液体パターン103を形成する工程と、その液体パターン103を固化して薄膜パターン104に形成する工程と、薄膜パターン104にレーザを照射して結晶化膜106に形成する工程とから成る、シリコン系半導体膜及び酸化シリコン系絶縁体膜等を形成する薄膜形成方法。リソグラフィ工程及びエッチング工程の省略による製造工程の簡略化と使用材料の量の削減とを図る。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

SinH2n+2(n>=2)で表される液状原料の液滴を選択的に基板上に塗布して形成した所望の液体パターンを固化して形成した半導体薄膜パターンを有することを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (8件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  B05D 7/24 ,  B05D 5/12 ,  H01L 21/208 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/316 ,  B05C 5/00

FI (9件)：

H01L29/78 618A ,  B05D7/24 302Y ,  B05D5/12 D ,  H01L29/78 617V ,  H01L29/78 619A ,  H01L21/208 Z ,  H01L21/318 A ,  H01L21/316 A ,  B05C5/00 101

Fターム (73件)：

4D075AC06 ,  4D075AC09 ,  4D075AC88 ,  4D075AC93 ,  4D075AC95 ,  4D075CA23 ,  4D075CB38 ,  4D075DA06 ,  4D075DB13 ,  4D075DB14 ,  4D075DC19 ,  4D075DC22 ,  4D075EA07 ,  4D075EB43 ,  4D075EB47 ,  4F041AA06 ,  4F041AB01 ,  4F041BA10 ,  4F041BA13 ,  4F041BA48 ,  5F053AA06 ,  5F053AA50 ,  5F053DD01 ,  5F053FF01 ,  5F053PP03 ,  5F053RR05 ,  5F058BA11 ,  5F058BC02 ,  5F058BC08 ,  5F058BF54 ,  5F058BF73 ,  5F058BF74 ,  5F058BG10 ,  5F058BH02 ,  5F058BJ04 ,  5F110AA16 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110BB10 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF23 ,  5F110FF26 ,  5F110FF27 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110FF31 ,  5F110FF32 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG24 ,  5F110GG42 ,  5F110NN04 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN32 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110NN37 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP06 ,  5F110PP07 ,  5F110PP08 ,  5F110PP10 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ19

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 薄膜の改質方法及びその実施に使用する装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-108239   出願人：日本電気株式会社
• 特開昭61-100466