特許

J-GLOBAL ID：200903068752397367

アクティブマトリクス基板、電気光学装置、およびアクティブマトリクス基板の製造方法

発明者： 竹中 敏
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-065221
公開番号（公開出願番号）：特開2000-258803
出願日： 1999年03月11日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
要約：

【要約】【課題】 MISトランジスタの膜質を容易に、かつ、正確に検査することのできるアクティブマトリクス基板、それを用いた電気光学装置、およびアクティブマトリクス基板の製造方法を提供すること。【解決手段】 アクティブマトリクス基板200において、画素部11、走査線駆動回路70、データ線駆動回路60、信号配線72、73などが形成されていない部分には1mm角の膜質検査領域80が形成されている。この膜質検査領域80では、TFT50の高濃度ソース・ドレイン領域と同層で、かつ、同一の不純物が同一濃度で導入された膜質検査用半導体膜1c(シリコン膜)が形成され、この膜質検査用半導体膜1cは層間絶縁膜4、71、72の開口部8cから露出しているので、すぐに膜質の分析を行うことができる。

請求項（抜粋）：

基板上にトランジスタおよび信号配線が形成されたアクティブマトリクス基板において、前記基板上における前記トランジスタおよび前記信号配線が形成されていない領域の少なくとも一か所に、前記トランジスタに用いた半導体膜と同層の膜質検査用半導体膜が形成されてなることを特徴とするアクティブマトリクス基板。

IPC (5件)：

G02F 1/1365 ,  G02F 1/1345 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 21/66 ,  H01L 29/786

FI (6件)：

G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1345 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 21/66 Z ,  H01L 29/78 612 B ,  H01L 29/78 624

Fターム (77件)：

2H092GA29 ,  2H092HA06 ,  2H092HA28 ,  2H092JA24 ,  2H092JA34 ,  2H092JA37 ,  2H092JA41 ,  2H092JA46 ,  2H092JB22 ,  2H092JB31 ,  2H092KA04 ,  2H092KA10 ,  2H092KB25 ,  2H092MA07 ,  2H092MA13 ,  2H092MA27 ,  2H092MA30 ,  2H092MA37 ,  2H092NA27 ,  2H092NA30 ,  2H092PA01 ,  2H092PA06 ,  4M106AA10 ,  4M106AA12 ,  4M106AA20 ,  4M106AB15 ,  4M106AB17 ,  4M106BA04 ,  4M106CA27 ,  4M106CB19 ,  4M106DH11 ,  4M106DH12 ,  5C094AA42 ,  5C094AA43 ,  5C094BA03 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094DA13 ,  5C094DB04 ,  5C094EA04 ,  5C094FB02 ,  5C094FB14 ,  5C094FB15 ,  5C094GB10 ,  5C094JA08 ,  5F110AA18 ,  5F110AA24 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110EE04 ,  5F110FF02 ,  5F110FF29 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HL03 ,  5F110HL23 ,  5F110HM14 ,  5F110HM15 ,  5F110HM18 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110NN40 ,  5F110PP03 ,  5F110QQ08 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 薄膜トランジスタの特性検査装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-278621   出願人：アルプス電気株式会社