特許
J-GLOBAL ID：200903068754837844
電子線直接描画方法及びその装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-318620
公開番号（公開出願番号）：特開平7-176458
出願日： 1993年12月17日
公開日（公表日）： 1995年07月14日
要約：
【要約】【目的】電子線直接描画方法およびその装置において、電子線描画に発生するレジストの酸化発生剤の反応や大気汚染によるレジストの反応ばらつきを無くし、レジストのパターン線幅の均一性向上を目的とする。【構成】電子線直接描画装置の試料室6にゲートバルブ10a,10b,10cを介して真空中でベーキングするベーク室12とサブチャンバー10を設けることによって、ウェーハのEB直描後の引き置き時間を一定にし、大気にさらすこと無くレジストの安定化を行う。
請求項（抜粋）：
レジスト膜が被着された半導体基板に加速された電子線を照射し該電子線で前記レジスト膜にパターンを描画する電子線描画した後に、引続き前記半導体基板を真空中に維持しながらパターン描画された前記レジスト膜をベーキングすることを特徴とする電子線直接描画方法。
FI (3件)：
H01L 21/30 541 P
, H01L 21/30 541 L
, H01L 21/30 567
