特許
J-GLOBAL ID：200903068758594890

絶縁膜の形成方法

発明者：
室山 雅和

室山 雅和 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-034531
公開番号（公開出願番号）：特開平9-232302
出願日： 1996年02月22日
公開日（公表日）： 1997年09月05日
要約：
【要約】【課題】 半導体装置の製造プロセスに適用する低誘電率の絶縁膜を形成する方法を提供する。【解決手段】 酸化物が水溶性になる不純物を含有する酸化シリコンからなる材料膜14を基板11上に成膜する。加熱処理を行うことによって、材料膜14を酸化シリコンからなる非水溶性材料相15aと不純物の酸化物からなる水溶性材料相15bとに分相し、非水溶性材料相15a中に水溶性材料相15bを分散させた状態の分散層15を形成する。エッチング溶液に水を用いて分散層15中の水溶性材料相15bを選択的にエッチング除去することによって、分散層15を非水溶性材料相15a中に空孔Cを形成してなる絶縁膜16にする。これによって、空孔Cの分散状態が良好に保たれた絶縁膜16を、酸のような配線材料を腐食させるエッチング溶液を用いることなく形成する。
請求項（抜粋）：
絶縁性の非水溶性材料相中に絶縁性の水溶性材料相を分散させてなる分散層を基板上に形成する工程と、エッチング溶液に水を用いて前記分散層中の前記水溶性材料相を選択的にエッチング除去することによって、当該分散層を前記非水溶性材料相中に空孔を形成してなる絶縁膜にする工程とを行うことを特徴とする絶縁膜の形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/312 ,  H01L 21/316
FI (2件)：
H01L 21/312 A ,  H01L 21/316 G
引用特許：
審査官引用 (7件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM