特許
J-GLOBAL ID:200903068761164278

半導体封止用樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置ならびに半導体装置の製法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 西藤 征彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-194258
公開番号(公開出願番号):特開2000-156438
出願日: 1999年07月08日
公開日(公表日): 2000年06月06日
要約:
【要約】【課題】耐半田性、耐湿信頼性、難燃性および流動性に優れた半導体封止用樹脂組成物を提供する。【解決手段】熱硬化性樹脂〔(イ)成分〕および硬化剤〔(ロ)成分〕とともに、下記の(ハ)および(ニ)成分を含有する半導体封止用樹脂組成物である。(ハ)下記の一般式(1)で表される多面体形状の複合化金属水酸化物。【化1】m(Ma Ob )・n(Qd Oe )・cH2 O ...(1)〔上記式(1)において、MとQは互いに異なる金属元素であり、Qは、周期律表のIVa,Va,VIa, VIIa,VIII,Ib,IIbから選ばれた族に属する金属元素である。また、m,n,a,b,c,d,eは正数であって、互いに同一の値であってもよいし、異なる値であってもよい。〕(ニ)テトラ置換ホスホニウム・テトラ置換ボレート(a)、ジアザビシクロアルケン類(b)および下記の一般式(X)で表される第3級アミン(c)からなる群から選ばれた少なくとも一つの硬化促進剤。【化2】
請求項(抜粋):
下記の(イ)〜(ニ)成分を含有することを特徴とする半導体封止用樹脂組成物。(イ)熱硬化性樹脂。(ロ)硬化剤。(ハ)下記の一般式(1)で表される多面体形状の複合化金属水酸化物。【化1】m(Ma Ob )・n(Qd Oe )・cH2 O ...(1)〔上記式(1)において、MとQは互いに異なる金属元素であり、Qは、周期律表のIVa,Va,VIa, VIIa,VIII,Ib,IIbから選ばれた族に属する金属元素である。また、m,n,a,b,c,d,eは正数であって、互いに同一の値であってもよいし、異なる値であってもよい。〕(ニ)下記の(a)〜(c)からなる群から選ばれた少なくとも一つの硬化促進剤。(a)テトラ置換ホスホニウム・テトラ置換ボレート。(b)ジアザビシクロアルケン類。(c)下記の一般式(X)で表される第3級アミン。【化2】
IPC (8件):
H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  C08K 3/22 ,  C08K 5/3442 ,  C08K 5/49 ,  C08L 61/00 ,  C08L 63/00 ,  C08L101/16
FI (7件):
H01L 23/30 R ,  C08K 3/22 ,  C08K 5/3442 ,  C08K 5/49 ,  C08L 61/00 ,  C08L 63/00 ,  C08L101/00
引用特許:
審査官引用 (2件)

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