特許
J-GLOBAL ID：200903068765901404
粒子転写型およびその製造方法、粒子転写膜の製造方法ならびに異方性導電膜
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
上野 登
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-331288
公開番号（公開出願番号）：特開2009-152160
出願日： 2007年12月25日
公開日（公表日）： 2009年07月09日
要約：
【課題】粒子を連続して転写可能な粒子転写型、また、この型を用いた粒子転写膜の製造方法を提供すること。【解決手段】長尺の高分子基材12と、高分子基材12の一方面に積層された高分子層14とを有し、高分子層14の表面に、粒子導入用の多数の凹部14aが規則的に配列形成された粒子転写型10とする。粒子転写型10は、実質的に、凹部1つにつき粒子が1つずつ導入されるものであると良い。また、凹部14aは、導入された粒子の一部を凹部14a形成面から露出可能な深さに形成されていると良い。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
長尺の高分子基材と、前記高分子基材の一方面に積層された高分子層とを有し、
前記高分子層の表面に、
粒子導入用の多数の凹部が規則的に配列形成されていることを特徴とする粒子転写型。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01R43/00 H
, H01R11/01 501F
