特許
J-GLOBAL ID:200903068769898459
EB部分一括アパチャー及びX線マスクの製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
舘野 千惠子
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-341835
公開番号(公開出願番号):特開平7-169674
出願日: 1993年12月13日
公開日(公表日): 1995年07月04日
要約:
【要約】【目的】 EB直描部分一括アパチャー及びX線マスクの作製方法において、バックエッチの形状を容易に円形とし、更にウェットエッチング用の保護膜形成の工程を削減し、保護膜によるウエハへの応力を低減し、強度の高いEB直描部分一括アパチャー及びX線マスクを製造する。【構成】 EB直描部分一括アパチャー及びX線マスクの作製のバックエッチ工程において、ウェットエッチ用の保護膜を形成する工程をはさまずに、シリコンをドライエッチする際にエッチングされにくい石英、Cu、Au等のマスクを用いて、ドライエッチングのみで円形にバックエッチする。。
請求項(抜粋):
EB(電子ビーム)直接描画における部分一括アパチャーの製造方法のバックエッチ工程において、エッチングされにくい材料よりなるウエハをマスクウエハとして用い、ドライエッチングのみでシリコンウエハをバックエッチすることを特徴とするEB部分一括アパチャーの製造方法。
FI (2件):
H01L 21/30 541 B
, H01L 21/30 531 M
引用特許:
審査官引用 (5件)
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特開平3-110820
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ステンシルマスク形成方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-022301
出願人:松下電器産業株式会社
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特開昭62-244132
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特開平2-187025
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特開昭62-106625
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